| 发明名称 | 噻唑基吡咯并吡咯二酮聚合物及其制备方法与应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种噻唑基吡咯并吡咯二酮聚合物及其制备方法与应用。该噻唑基吡咯并吡咯二酮聚合物的结构如式Ⅰ所示，其中，R为C<sub>1</sub>～C<sub>60</sub>的直链或支链烷，m为单元个数，X为氧族元素。本发明还提供了式(Ⅰ)所示聚合物的制备方法。本发明的合成路线简单、有效；原料为比较廉价的商业化产品；合成方法具有普适性。以本发明2-噻唑基吡咯并吡咯二酮为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的迁移率最高为1.43cm<sup>2</sup>V<sup>-1</sup>s<sup>-1</sup>，开关比大于10<sup>6</sup>；在有机场效应晶体管器件中有非常高的应用前景。<img file="DDA0000836319880000011.GIF" wi="1058" he="466" /> | ||
| 申请公布号 | CN105237748A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201510725867.8 | 申请日期 | 2015.10.29 |
| 申请人 | 中国科学院化学研究所 | 发明人 | 于贵;高冬;田奎;张卫锋;黄剑耀;毛祖攀;刘晓彤 |
| 分类号 | C08G61/12(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 式I所示聚合物，<img file="FDA0000836319850000011.GIF" wi="984" he="469" />所述式I中，R为C<sub>1</sub>～C<sub>60</sub>的直链或支链烷基；m为0或1；X为不同氧族原子；n为5‑100。 | ||
| 地址 | 100080 北京市海淀区中关村北一街2号 | ||