发明名称 |
一种电感值可调的片上集成差分电感 |
摘要 |
本发明公开了一种电感值可调的片上集成差分电感,采用多层共面波导结构,在两条差分信号线之间有4对顶层金属连接线,每对金属连接线之间有个片上CMOS开关。本发明采用上述结构,实现通过改变加载在片上CMOS开关栅极上的电压,控制CMOS开关的连接状态,改变差分信号线的连接位置,实现电感值可调,从而可调整毫米波芯片的性能,因此能克服标准CMOS工艺的差分电感无法改变电感值的缺点,增加芯片的良率。 |
申请公布号 |
CN105244345A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201510610874.3 |
申请日期 |
2015.09.21 |
申请人 |
温州大学 |
发明人 |
刘桂;潘跃晓 |
分类号 |
H01L23/64(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/64(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种基于多层共面波导的电感值可调的片上差分电感,其特征在于包括两块由最顶层金属至底层金属通过过孔连接在一起的“金属侧墙”,两条由最顶层金属构成的差分信号线,所述的两条差分信号线的一端分别接信号输入端,另外一端则连接在一起并连接到地。 |
地址 |
325000 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器 |