| 发明名称 | 提拉法单晶硅生长流场控制技术 | ||
| 摘要 | 本发明技术是一种提拉法单晶硅生长流场控制技术。主加热器形成一个从熔体外侧向中心的自然对流Gr，通过坩埚的旋转，将使坩埚外侧熔体往中心的流动Tc。晶体的旋转，形成一个强迫对流Re，在坩埚的底部加一个底部加热器，加热器为双螺旋渐开线形结构，随坩埚同步上下移动。底部加热器使坩埚的底部的温度高于四周的温度，形成一个从中心向上的对流Gz。通过控制 <img file="dest_path_image001.GIF" wi="106" he="15" />将熔体分成内外两个流场区域，交汇在晶体与坩埚壁的中间区域，最佳点位置为<img file="dest_path_image003.GIF" wi="70" he="21" />，从而控制晶体生长界面处的温度分布和熔体中氧分布，再通过提拉速度，进而控制晶体中的元素均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN105239154A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201510573377.0 | 申请日期 | 2015.09.10 |
| 申请人 | 上海超硅半导体有限公司 | 发明人 | 张俊宝;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 |
| 分类号 | C30B15/20(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种提拉法单晶硅生长流场控制技术，主加热器形成一个从熔体外侧向中心的自然对流Gr，通过坩埚的旋转，将使坩埚外侧熔体往中心的流动Tc；晶体的旋转，形成一个强迫对流Re，在坩埚的底部加一个底部加热器，使坩埚的底部的温度高于四周的温度，形成一个从中心向上的对流Gz；通过控制<img file="dest_path_image001.GIF" wi="95" he="16" />将熔体分成内外两个流场区域，交汇在晶体与坩埚壁的中间区域，最佳点位置为<img file="dest_path_image002.GIF" wi="73" he="22" />，从而控制晶体生长界面处的温度分布和熔体中氧分布，再通过提拉速度，进而控制晶体中的元素均匀性。 | ||
| 地址 | 201604 上海市松江区石湖荡镇养石路88号 | ||