一种硅基电镀金属反射镜光栅耦合器及其制作方法

摘要

一种硅基电镀金属反射镜光栅耦合器及其制作方法，涉及光纤耦合技术以及光电集成领域，绝缘体上硅芯片通过三个制作步骤后制成硅衬底上设置有中间镂空的掩埋绝缘体，硅衬底处于掩埋绝缘体镂空处的一面设置有金属反射镜，金属反射镜上方设置有悬浮硅光波导，悬浮硅光波导上设置有耦合光栅的硅基电镀金属反射镜光栅耦合器。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明产品通过在波导光栅耦合器下方增加金属反射镜的方式实现耦合效率的提升，极大的保证了耦合的稳定性，增加了耦合的效率。且本发明的方法制作简单，成本低廉，便于大规模集成。

主权项

一种硅基电镀金属反射镜光栅耦合器制作方法，制作基体为绝缘体上硅芯片，所述的绝缘体上硅芯片从上到下分别是顶层硅（1）、掩埋绝缘体（2）和硅衬底（3），其特征为，包括以下几个步骤：步骤A：通过电子束曝光或深紫外曝光或刻蚀的方法将所述顶层硅（1）制成硅波导（5），并在硅波导（5）上刻制耦合光栅（7）；步骤B：在所述绝缘体上硅芯片表面除耦合光栅（7）区域以及耦合光栅（7）上下区域外都涂抹有不与氢氟酸反应的保护材料（9），然后通过氢氟酸湿法或氢氟酸气相腐蚀法将裸露在所述绝缘体上硅芯片表面的掩埋绝缘体（2）腐蚀掉，此时位于耦合光栅（7）区域下方的掩埋绝缘体（2）也被腐蚀镂空，露出硅衬底（3），并让此段硅波导（5）悬空形成悬浮硅光波导（6）；步骤C：将所述绝缘体上硅芯片上的保护材料（9）去除后再浸没到电镀液（10）中，所述电镀液（10）内具有正极（12）和负极（11），所述硅衬底（3）连接负极（11），然后进行电镀，电镀完成后硅衬底（3）表面被镀上一层金属，其中位于悬浮硅光波导（6）下方的硅衬底（3）表面金属层形成金属反射镜（8）。