发明名称 |
垂直排列的二硫化铪纳米片的化学气相沉积制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种垂直排列的二硫化铪纳米片的化学气相沉积制备方法,包括如下步骤:(1)清洗衬底;(2)将衬底、硫粉和四氯化铪粉放入真空管式炉中;(3)将真空管式炉抽至高真空,通入氩气和氢气;(4)将管式炉依次升温、保温、降温;(5)取出衬底,衬底上即为垂直排列的二硫化铪纳米片;本发明制备的垂直排列的二硫化铪纳米片均匀性好、质量高、面积大,为二硫化铪纳米材料的基础研究以及相关二维纳米光电子器件的潜在应用的研究提供了样品制备的可靠手段,垂直排列的纳米结构比表面积大,表面活性高,在作为催化剂方面有很广阔的应用前景。 |
申请公布号 |
CN105236762A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201510591370.1 |
申请日期 |
2015.09.17 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
陈远富;郑斌杰;李萍剑;戚飞;刘竞博;贺加瑞;张万里 |
分类号 |
C03C17/22(2006.01)I;C04B41/50(2006.01)I |
主分类号 |
C03C17/22(2006.01)I |
代理机构 |
成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 |
代理人 |
敖欢;葛启函 |
主权项 |
一种垂直排列的二硫化铪纳米片的化学气相沉积制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)清洗衬底;(2)将衬底、硫粉和四氯化铪粉放入真空管式炉中,按质量比计,硫粉:四氯化铪粉≥2:1;(3)将真空管式炉抽至高真空,通入氩气和氢气;(4)将管式炉依次升温、保温、降温;(5)取出衬底,衬底上即为垂直排列的二硫化铪纳米片。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |