Methods of fabricating metal silicate layer and methods for semiconductor device using the same
摘要
<p>실리콘 조성의 산포가 균일한 금속 실리케이트 막의 형성 방법 및 이를 이용한 트랜지스터용 게이트의 형성 방법 및 캐패시터의 형성 방법이 제공된다. 금속 실리케이트 막을 형성하는 방법은 실리콘 전구체를 사용하며, 상기 실리콘 전구체는 실리콘을 중심으로 각각 연결된 리간드가 모두 동일한 분자 구조를 가지는 호모렙틱(homoleptic) 실리콘 전구체인 것을 특징으로 한다.</p>
