发明名称 | 高速PIN开关 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种高速PIN开关,包括PIN二极管、第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1和第二电感L2,所述第一电容C1的一端与输入电压连接,另一端连接至PIN二极管的阳极,PIN二极管的阴极与第二电容C2的一端连接;第一电感L1的一端连接至PIN二极管的阳极,另一端接有交流电压;第二电感L2的一端与PIN二极管的阴极连接,另一端接地。本申请既解决了直流通路的问题,同时避免了电感在高频的谐振,更有利于产品在高频段的工作。并且,本申请还大大缩短了开关时间。 | ||
申请公布号 | CN204967784U | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
申请号 | CN201520707296.0 | 申请日期 | 2015.09.14 |
申请人 | 成都创新达微波电子有限公司 | 发明人 | 周开斌;毛艳 |
分类号 | H03K17/74(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/74(2006.01)I |
代理机构 | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人 | 李蕊 |
主权项 | 一种高速PIN开关,其特征在于,包括第一电感L1,第二电感L2,一端与输入电压连接第一电容C1,其阳极与所述第一电容C1的另一端连接的PIN二极管,以及一端与所述PIN二极管的阴极连接的第二电容C2;所述第一电感L1的一端连接至所述PIN二极管的阳极,另一端接有交流电压;所述第二电感L2的一端与所述PIN二极管的阴极连接,另一端接地;所述PIN二极管包括PIN二极管本体,所述PIN二极管本体包括P型半导体层、N 型半导体层以及位于两者之间的本征半导体层;所述本征半导体层的厚度等于N型半导体层的厚度;所述P型半导体层和N 型半导体层分别对外焊接有一根引出导线;所述二极管塑封在环氧树脂管内。 | ||
地址 | 610041 四川省成都市高新区桂溪工业园 |