3- III-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICES GROWN ON TEMPLATES TO REDUCE STRAIN

摘要

3족-질화물 발광 장치에서, 발광층을 포함하는 장치층(10)이 장치에서의, 상세하게는 발광층에서의 변형을 감소시키기 설계된 템플릿 상부에 성장된다. 발광 장치에서의 변형을 감소시키면 장치의 성능을 향상시킬 수 있다. 이 템플릿은 종래의 성장 템플릿으로부터 이용가능한 격자 상수의 범위를 넘어 발광층에서의 격자 상수를 확장시킬 수 있다. 변형은 다음과 같이 정의된다. 주어진 층은 그 층과 동일한 조성의 프리스탠딩 물질(free standing material)의 격자 상수에 대응하는 벌크 격자 상수(bulk lattice constant) a및 이 구조에 성장된 그 층의 격자 상수에 대응하는 면내 격자 상수(in-plane lattice constant) a를 갖는다. 층에서의 변형의 양은이다. 어떤 실시예들에서, 발광층에서의 변형은 1% 미만이다.