发明名称 |
半透半反式液晶显示器阵列基板、制造方法及液晶显示屏 |
摘要 |
本发明提供一种半透半反式液晶显示器阵列基板、制造方法及液晶显示屏。其中,通过去除相邻像素的透射电极和反射电极交界处的第二延伸部,即由此制造的半透半反式液晶显示器阵列基板及液晶显示器不具有该第二延伸部,避免了该第二延伸部对液晶层分子取向的影响,从而防止了半透半反式液晶显示器的漏光,提高了半透半反式液晶显示器的显示效果,提高了开口率。 |
申请公布号 |
CN102819133B |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201110155180.7 |
申请日期 |
2011.06.09 |
申请人 |
上海天马微电子有限公司 |
发明人 |
霍思涛;黄忠守 |
分类号 |
G02F1/1333(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1333(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种半透半反式液晶显示器阵列基板,其特征在于,包括:基板;形成于所述基板上的像素阵列;所述像素阵列中每一像素包括反射电极和透射电极;所述反射电极形成于一绝缘层上,相邻像素的反射电极和透射电极在透光方向上交叠并且通过所述绝缘层绝缘;所述绝缘层在相邻像素的反射电极和透射电极的交界处具有与所述透射电极夹角为70度‑110度的侧面,相邻像素的反射电极和透射电极在所述绝缘层的侧面处电学绝缘。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区汇庆路889号 |