| 发明名称 | 一种SnO<sub>2</sub>纳米线阵列的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SnO<sub>2</sub>纳米线阵列的制备方法，包括以ITO玻璃为衬底，采用水热法进行SnO<sub>2</sub>纳米线阵列生长，所述的SnO<sub>2</sub>纳米线阵列中SnO<sub>2</sub>纳米线的长径比为4～12，所述的SnO<sub>2</sub>纳米线阵列中SnO<sub>2</sub>纳米线的直径为50～100nm，SnO<sub>2</sub>纳米线的长度为400～600nm。本发明所得的SnO<sub>2</sub>纳米线阵列结构是由金红石结构的SnO<sub>2</sub>单晶纳米棒构成，从微观结构上看，SnO<sub>2</sub>纳米线阵列排列致密，均一性好，可以用作场发射、光催化、气敏传感器和锂离子电池负极材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105236472A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201510641241.9 | 申请日期 | 2015.09.30 |
| 申请人 | 西北大学 | 发明人 | 闫军锋;许曼章;张凤姣;张志勇;贠江妮;赵武;张偲元;邓周虎;王雪文;翟春雪 |
| 分类号 | C01G19/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | C01G19/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人 | 李郑建;孙雅静 |
| 主权项 | 一种SnO<sub>2</sub>纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括以ITO玻璃为衬底，采用水热法进行SnO<sub>2</sub>纳米线阵列生长。 | ||
| 地址 | 710069 陕西省西安市太白北路229号 | ||