| 摘要 |
<p>본 발명은 태양전지의 도핑방법에 관한 것이다. 먼저 N형 기판의 일면에 N+ 불순물 도핑 층을 형성한다. 그리고 N형 기판의 상부에 마스크 층을 형성한다. 마스크 층에 의해 커버되지 않은 부분은 개방영역이 된다. 이후, 상기 개방영역의 하부에 있는 N+ 불순물 도핑 층을 완전히 제거하여 상기 N형 기판을 노출시킨다. 이후, 이온주입방법으로 상기 개방영역 하부의 N형 기판에 P+ 불순물 도핑영역을 형성한다. 상기 P+ 불순물 도핑영역은 에칭되지 않은 N+ 불순물 도핑 층과 접촉하지 않는다. 이후, 상기 마스크 층을 에칭하여 완전히 제거함으로써 N+ 불순물 도핑영역과 상기 P+ 불순물 도핑영역이 포함된 PN 구조가 형성된다. 상기 에칭되지 않은 N+ 불순물 도핑 층은 상기 N+ 불순물 도핑영역이 된 것이다. 본 발명은 또한 PN 구조, 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 한 장만의 마스크의 사용으로 인하여 복잡한 노광 공정이 불필요하게 되고, 여러 장 마스크 사용 시의 정렬문제도 함께 해소됨으로써 공정시간과 공정비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.</p> |
