| 摘要 |
制御基板に対してパワー半導体素子や他の制御基板からの入熱を減らし、制御基板の放熱性を向上させることで、制御基板の温度を低下させ、信頼性の高いパワーモジュールを得ることを目的とする。本発明のパワーモジュール（２０）は、ベース板（２）に実装されたパワー半導体素子（１）とパワー半導体素子（１）を制御する一つもしくは複数の制御基板（６）とがケース（４）内に配置され、少なくとも一つの制御基板（６）は、ベース板（２）におけるパワー半導体素子（１）が実装された実装面に対して略垂直に配置されたことを特徴とする。 |
