電荷トラップスプリットゲートデバイス及びその製作方法

摘要

実施形態は、スプリットゲートデバイス、スプリットゲートデバイスを製作する方法、並びにスプリットゲートデバイス及び周辺デバイスを製作する集積方法を提供する。一実施形態では、スプリットゲートデバイスは、電荷トラップスプリットゲートデバイスであり、電荷トラップ層を含む。別の実施形態では、スプリットゲートデバイスは不揮発性メモリセルであり、単独で実施形態により形成することができるか、又は周辺デバイスと共に埋め込むことができる。