| 摘要 |
Винахід належить до галузі радіоелектронного матеріалознавства і може бути використаний у радіоелектронному, напівпровідниковому та оптоелектронному приладобудуванні, зокрема при виробництві кремнієвих польових транзисторів. Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора з довжиною каналу 2-10 мкм і шириною 50 мкм полягає у застосуванні рентгенівського опромінення 870 Р/с протягом 5-10 хв. та поляризації-деполяризації електричним полем U=-10 В підзатворного діелектрика, при одночасному нагріві транзистора ІЧ-променями до Т=(435-450)K. Технічним результатом винаходу є зростання рухливості носіїв в каналі МДН-транзистора. |
