| 摘要 |
ｐ型薄層（３４）は、ｎ-半導体基板（３７）の裏面からｐ型分離層（３３）の底部に達するＶ字溝（３１）の側壁面に沿って設けられ、ｐ型コレクタ層（３５）とｐ型分離層（３３）とを連結する。コレクタ電極（３６）は、ｐ型コレクタ層（３５）の表面およびｐ型薄層（３４）の表面に接触する。コレクタ電極（３６）は、ｎ-半導体基板（３７）側から順にＡｌ−Ｓｉ膜（４２）とバリア層（４３）とＮｉ系金属膜（４４）とＡｕ系金属膜（４５）とを積層してなる。ｐ型コレクタ層（３５）表面に接するＡｌ−Ｓｉ膜（４２）の厚さは、１．１μｍ〜３．０μｍの範囲内の厚さである。ｐ型薄層（３４）に接するＡｌ−Ｓｉ膜（４２）の厚さは、０．５５μｍ〜１．５μｍの範囲内の厚さである。これにより、Ａｌスパイクに起因する漏れ電流の上昇がなく、また、錫を含有するはんだ接合を適正に容易に行うことができる逆阻止型半導体装置を提供することができる。 |
