非挥发性半导体记忆体装置及其读出方法

摘要

非挥发性半导体记忆体装置，从每个记忆单元读出三次以上之奇数次的资料以根据多数决法则决定并输出资料数值，包括：3以上之奇数个锁存电路，每个锁存电路包括一电容，每个锁存电路之该电容选择性地依序保持从每个记忆单元读出该奇数次之该资料其中一者的电压；以及一控制电路，在每一该奇数个锁存电路之该电容选择性地依序储存从每一该复数个记忆单元读出该奇数次之该资料其中一者的电压之后，并联连接该奇数个锁存电路的电容，根据并联连接之该奇数个锁存电路的电容的合成电压并藉由该多数决法则决定该资料数值。

主权项

一种非挥发性半导体记忆体装置，藉由从每一复数个记忆单元读出三次以上之奇数次的资料以根据多数决法则决定并输出一资料数值，其中该复数个记忆单元连接至对应字元线，并连接于复数条字元线以及复数条源极线之间，该非挥发性半导体记忆体包括：奇数个锁存电路，该奇数为3以上，其中每一该奇数个锁存电路包括一电容，每一该奇数个锁存电路之该电容选择性地依序保持从每一该复数个记忆单元读出该奇数次之该资料其中一者的电压；以及一控制电路，在每一该奇数个锁存电路之该电容选择性地依序储存从每一该复数个记忆单元读出该奇数次之该资料其中一者的电压之后，并联连接该奇数个锁存电路的电容，根据并联连接之该奇数个锁存电路的电容的合成电压并藉由该多数决法则决定该资料数值。