| 发明名称 |
METHOD OF PRODUCING ISOLATED FIELD EFFECT TRANSISTORS EMPLOYING PYROLYTIC GRAPHITE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3522649(A) |
申请公布日期 |
1970.08.04 |
| 申请号 |
USD3522649 |
申请日期 |
1969.04.25 |
| 申请人 |
VEB WERK FUR BAUELEMENTE DER NACHRICHTENTECHNIK CARL VON OSSIETZKY |
发明人 |
HANS-JOACHIM TEUSCHLER |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L23/31;H01L29/00;H01L29/76;H01L29/78;(IPC1-7):H01L11/14 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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