发明名称 电压控制可变电容器及电压控制振荡器
摘要 明系提供一种电压可变型电容器,其系可构造于积体电路上,可变电容比率大且Q值高,并可实现构成VCO时之高度直线性之控制电压与振荡频率之关系。 本发明系由将共通连接下部电极之复数MOS型电容元件、连接该复数MOS型电容元件之上部电极之一端且另一端共通连接之同数目非电压可变型电容器、及对该等MOS型电容元件与非电压可变型电容之连接点赋予各自不同之固定电压的机构,所构成,并且朝前述复数MOS型电容元件共通接触之下部电极施加控制电压。
申请公布号 TWI517191 申请公布日期 2016.01.11
申请号 TW099144203 申请日期 2010.12.16
申请人 日本电波工业股份有限公司 发明人 高桥豊
分类号 H01G7/00(2006.01) 主分类号 H01G7/00(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项 一种电压控制振荡器,其于振荡部的两端设有差动放大器,具有(1)第1电压控制可变电容与第2电压控制可变电容,(2)前述第1电压控制可变电容及第2电压控制可变电容各自具有:(2-1)使用复数个MOS型电容元件,且该MOS型电容元件包含有N型井层、隔着闸极氧化膜形成于该井层上之闸极电极、及在朝面方向离开前述闸极电极之位置形成于前述井层内且由N型杂质浓度比井层多之N+层所形成之接触层;(2-2)前述复数个MOS型电容元件之接触层中之各个MOS型电容元件之接触层系电性共通连接;(2-3)设有偏压供给部,其系用以朝各MOS型电容元件之闸极电极供给相互不同之直流偏压;(2-4)设有复数个非电压可变型电容元件,其一端系各自连接前述MOS型电容元件之闸极电极,而另一端系共通连接;及(2-5)令在闸极电极之电压已达到大于前述井层时且形成于井层之空乏层消灭时的井层与闸极电极之间的电压为Vt,设定使差电压小于MOS型电容元件之前述电压Vt,前述差电压是在偏压大小相邻之偏压之中,从大的偏压中减去小的偏压者,而前述MOS型电容元件施加有前述大的偏压;且(3)在前述振荡部的一端侧连接前述第1电压控制可变电 容中的复数个非电压可变电容元件的另一端侧,在前述振荡部的另一端侧连接前述第2电压控制可变电容中的复数个非电压可变电容元件的另一端侧,(4)藉由朝前述接触层供给控制电压,来控制前述复数个MOS型电容元件之共通连接点与前述复数个非电压可变型电容元件之共通连接点间的电容值。
地址 日本