发明名称 |
鳍式场效电晶体装置的制造方法 |
摘要 |
明揭露一种鳍式场效电晶体装置的制造方法,包括首先取得一鳍式场效电晶体前体,其包括一基底以及位于基底上的复数鳍式结构。沿着前体内的鳍式结构的侧壁形成一侧壁间隙壁。回蚀一部分的鳍式结构,以形成凹陷沟槽,而侧壁间隙壁作为凹陷沟槽的上部。在凹陷沟槽内磊晶成长一半导体,并继续成长至凹陷沟槽上方,以形成一磊晶结构。
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申请公布号 |
TWI517266 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
申请号 |
TW102128592 |
申请日期 |
2013.08.09 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
凯利 安德鲁 约瑟夫;曾博瑞;简佩珊;曾伟雄 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/205(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
主权项 |
一种鳍式场效电晶体装置的制造方法,包括:取得一鳍式场效电晶体前体,该鳍式场效电晶体前体包括:一基底;复数鳍式结构,位于该基底上,且彼此间具有一间隔距离;沿着该等鳍式结构的侧壁形成具有一既定间隙壁高度的复数侧壁间隙壁;回蚀该等鳍式结构,以形成复数凹陷沟槽,其中该等侧壁间隙壁为该等凹陷沟槽的上部;以及在该等凹陷沟槽的每一者上形成具有一高度及一宽度的一磊晶结构。
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |