| 摘要 |
본 발명은 제1 전극과, 그 제1 전극에 대향하여 배치되고, 피처리체를 얹어 놓는 제2 전극을 갖는 처리실 내에서 피처리체를 에칭하는 에칭 방법으로서, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 어느 하나에 제1 고주파 전력을 간헐적으로 인가하고, 상기 제2 전극에 그 제1 고주파 전력보다 낮은 제2 고주파 전력을 인가하고, 상기 처리실 내에 브롬화수소 HBr와 산소 O를 포함하는 처리 가스를 공급하고, 상기 처리 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해, 피처리체에 형성된 폴리실리콘막을, 스페이서 더블 패터닝법에 의해 패터닝된 실리콘 함유 산화막의 마스크 패턴에 에칭하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 에칭 방법에 관한 것이다. |
