记忆体阵列

摘要

实施例包含记忆体阵列。该等记忆体阵列可具有沿一第一水平方向延伸之全域位元线、自该等全域位元线垂直延伸之垂直局局域位元线及沿垂直于该第一水平方向之一第二水平方向延伸之字线。该等全域位元线可被细分成一第一高度层级处之一第一系列及不同于该第一高度层级之一第二高度层级处之一第二系列。该第一系列之该等全域位元线可与该第二系列之该等全域位元线交替。在该等字线与该等垂直局域位元线之间可直接存在记忆体胞材料。该记忆体胞材料可形成由字线/全域位元线组合唯一定址之复数个记忆体胞。某些实施例包含具有约2F2之面积之交叉点记忆体胞单元。

主权项

一种记忆体阵列，其包括：复数个记忆体胞单元，其位于穿过多个高度层级之每一者的之平面中；若干字线，其位于该多个高度层级中，该等字线沿一第一水平方向延伸；该等字线系堆叠成包括垂直行及水平列之二维阵列；该字线阵列之该等垂直行包括两个或两个以上字线；若干垂直局域位元线，该等垂直局域位元线延伸穿过该字线阵列以使得该等垂直局域位元线系在该字线阵列之毗邻垂直行之间，其中毗邻该字线阵列之一垂直行的垂直局域位元线在与该第一水平方向垂直之一第二水平方向上彼此不对齐；以及相对于个别记忆体胞单元所消耗之字线、垂直局域位元线及间隔，该等记忆体胞单元在沿着每一高度层级之平面上的面积小于4F2。