半导体基板洗净系统以及半导体基板的洗净方法

摘要

明的半导体基板的洗净方法是自形成有矽化物膜的半导体基板除去矽化物化残渣金属，且包括：第1洗净步骤，使包含硝酸及/或过氧化氢作为主要溶质的第1溶液与上述半导体基板接触而洗净；以及第2洗净步骤，使包含过硫酸与卤化物、且温度为25℃~100℃的第2溶液与经过第1洗净步骤的上述半导体基板接触而洗净；上述洗净方法可进行将矽化物的损害抑制在特定水凖以下，且有效地除去矽化物化所用的残渣金属的洗净，特别是在晶圆表面露出Al时，亦可将Al的损害抑制在特定水凖以下且进行洗净。

主权项

一种半导体基板的洗净方法，其自形成有矽化物膜的半导体基板除去矽化物化残渣金属，且其特征在于包括：第1洗净步骤，使包含硝酸及/或过氧化氢作为主要溶质的第1溶液与上述半导体基板接触而洗净；以及第2洗净步骤，使包含过硫酸与卤化物、且温度为25℃~100℃的第2溶液与经过第1洗净步骤的上述半导体基板接触而洗净。