经控制之气隙的形成

摘要

介绍在基板上之相邻凸起特征结构之间形成及控制气隙之方法，该方法包括使用可流动沉积制程在相邻凸起特征结构之间的底部区域中形成含矽薄膜。该方法亦包括使用可流动沉积制程在含矽薄膜顶部形成含碳材料，及在含碳材料上方形成第二薄膜。该第二薄膜填充相邻凸起特征结构之间的上部区域。该方法亦包括在高温下固化材料达一时段，以在相邻凸起特征结构之间形成气隙。薄膜层之厚度及数目可用以控制气隙之厚度、垂直位置，及数目。

主权项

一种在一基板上之相邻凸起特征结构之间形成气隙之方法，该方法包含以下步骤：使用一可流动沉积制程形成一第一含矽薄膜，该第一含矽薄膜填充该等相邻凸起特征结构之间之一下部区域；使用一可流动沉积制程在该等相邻凸起特征结构之间之该第一含矽薄膜顶部上形成一含碳材料；在该含碳材料上方形成一第二含矽薄膜，该第二含矽薄膜填充该等相邻凸起特征结构之间之一上部区域及在该等相邻凸起特征结构上方延伸；以及在一高温下固化该含碳材料及该第一含矽薄膜及该第二含矽薄膜达一时段，以在该等相邻凸起特征结构之间形成该等气隙；其中该等相邻凸起特征结构产生一沟槽，且该可流动沉积制程自该沟槽的一底部至该沟槽的一顶部向上填充该沟槽；以及其中该第一含矽薄膜在该等相邻凸起特征结构的侧壁上形成一薄层，该薄层自该沟槽的一底部仅沿该等侧壁的一下部部分延伸。