| 发明名称 | 垂直双扩散场效电晶体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 明提供了一种垂直双扩散场效电晶体及其制造方法，其方法过程中在掺杂体区形成之后再沉积多晶矽形成闸极，虽然增加了光刻次数，但两次光刻可以采用光刻板共用的方法来降低生产成本。在空乏型垂直双扩散场效电晶体的制造方法中，空乏管通道注入为非自对准注入，这样有效的保证了垂直双扩散场效电晶体的击穿电压不会下降，同时解决了漏电问题。 | ||
| 申请公布号 | TWI517267 | 申请公布日期 | 2016.01.11 |
| 申请号 | TW102144438 | 申请日期 | 2013.12.04 |
| 申请人 | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 | 发明人 | 廖忠平 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
| 主权项 | 一种垂直双扩散场效电晶体(VDMOS)的制造方法，其特征在于，包括以下步骤，(1)在磊晶结构的表面形成隔离场氧化层，并对形成垂直双扩散场效电晶体的工作区域进行蚀刻；(2)对所述工作区域注入第一掺杂物并扩散以形成掺杂体区；(3)在形成掺杂体区后，在所述工作区域的表面形成闸极氧化层；(4)在所述闸极氧化层的表面沉积多晶矽并进行蚀刻形成闸极；(5)在所述掺杂体区中对应所述闸极端部的位置注入第二掺杂物形成源极，所述第二掺杂物与所述第一掺杂物的类型相反；(6)在所述闸极之间形成接触孔，并向接触孔内注入第三掺杂物，所述第三掺杂物与所述第一掺杂物的类型相同；(7)在整个晶片表面进行铝沉积和铝蚀刻；(8)在整个晶片的表面覆盖钝化层，并开出用以焊接的压点区域；其中，步骤(2)和步骤(4)共用同一光刻版。 | ||
| 地址 | 中国 | ||