| 发明名称 | 制作具有金属闸极之电晶体的方法 | ||
| 摘要 | 明提出一种制作具有金属闸极之电晶体的方法。首先提供一基底，并于基底上形成一电晶体。电晶体包含一高介电常数闸极介电层、一含氧介电层设置于高介电常数闸极介电层上以及一虚置闸极设置于含氧介电层上。接着移除位于高介电常数闸极介电层上之虚置闸极以及含氧介电层。最后形成一金属闸极，其中金属闸极直接接触于高介电常数闸极介电层。 | ||
| 申请公布号 | TWI517219 | 申请公布日期 | 2016.01.11 |
| 申请号 | TW100107882 | 申请日期 | 2011.03.09 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 马诚佑;洪文瀚;罗大刚;陈再富;郑子铭 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任;戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种制作具有金属闸极之电晶体的方法，包含：提供一基底；于该基底上形成一电晶体，该电晶体包含一高介电常数闸极介电层、一含氧介电层设置于该高介电常数闸极介电层上、以及一虚置闸极设置于该含氧介电层上；移除位于该高介电常数闸极介电层上之该虚置闸极以及该含氧介电层；以及形成一金属闸极，其中该金属闸极直接接触于该高介电常数闸极介电层。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||