| 摘要 |
<p>캐리어 이동도가 높은 {03-38}면 등의 특이한 결정면을 트렌치 측벽에 간편하게 형성하는 기술, 및, 채널 부분에 상당하는 트렌치 측벽의 대부분이 {03-38}면 등으로 형성되는 SiC 반도체소자를 제공한다. SiC의 (0001)면 또는 오프각 8°이하의 (0001)면의 오프면으로 형성되는 트렌치 구조를 갖추고, 트렌치 구조에 채널 부분이 있고, 채널 부분의 면적 90%이상이, {03-38}면 또는 {03-38}면을 <1-100>방향으로 -8°~ 8° 사이의 각도에서 오프시킨 면이다. 구체적으로는, SiC의 (0001)면의 트렌치에 대해서, 열처리(열에칭 처리)를 실시함으로써, 트렌치 측벽을 {03-38}면으로 가공한다. 열에칭 처리는, 질소 가스 등의 불활성 가스 혹은 수소 가스를 캐리어 가스로 하고, 염소 분위기 중에서, 800℃ 이상으로 에칭을 행한다.</p> |
