| 摘要 |
Ein Verfahren für ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung enthält das Bereitstellen eines Halbleitersubstrats, das eine Unterseite entgegengesetzt einer Oberseite aufweist, wobei eine Schaltungsanordnung an der Oberseite angeordnet ist. Das Verfahren enthält ferner das Bilden einer ersten Metallschicht, die ein erstes Metall aufweist, über der Unterseite des Halbleitersubstrats. Die erste Metallschicht wird durch Aufbringen eines Adhäsionspromoters, gefolgt von dem ersten Metall gebildet. |
