实现自对准型双重图形的方法

摘要

一种实现自对准型双重图形的方法，包括：提供半导体基底；在半导体基底上从下至上依次形成第一介质层、第二介质层、硬掩膜层和具有第一间距的光刻胶线条；利用光刻胶线条作为掩模刻蚀所述硬掩膜层，在硬掩膜层上形成若干硬掩膜层线条；利用硬掩膜层线条作为掩模，周期性交替着对第二介质层进行n次刻蚀和n次沉积，以在第二介质层中形成开口和位于开口两侧的侧墙，侧墙包括n层台阶状排布的子侧墙；去除硬掩膜层线条；利用侧墙作为掩模刻蚀第二介质层，利用第二介质层作为掩模刻蚀第一介质层，在第一介质层中形成具有第二间距的线条。本发明通过周期性交替进行刻蚀和沉积，精确的控制侧墙的宽度，从而能够精确的控制最终形成微小尺寸图形的线宽。

主权项

一种实现自对准型双重图形的方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成第二介质层；在所述第二介质层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶；利用光刻在所述光刻胶上形成具有第一间距的光刻胶线条；利用所述光刻胶线条作为掩膜刻蚀所述硬掩膜层，在所述硬掩膜层上形成若干硬掩膜层线条；去除光刻胶；利用所述硬掩膜层线条作为掩膜，周期性交替着对所述第二介质层进行n次刻蚀和n次沉积，以在所述第二介质层中形成开口和位于开口两侧的侧墙，所述侧墙包括n层台阶状排布的子侧墙，其中n为大于1的自然数；去除所述硬掩膜层线条；利用所述侧墙作为掩膜刻蚀所述第二介质层，在所述第二介质层中形成具有第二间距的第二介质层线条；利用所述第二介质层线条作为掩膜刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层中形成具有第二间距的线条。