一种存储类型的闪存中的块操作方法和装置

摘要

本发明提供了一种存储类型的闪存中的块操作方法和装置，其中，所述方法包括：启动与译码地址对应的块选择器，块选择器可对一个奇数块和一个偶数块进行选择，奇数块与偶数块为相邻的两个块；确定块选择器可选择的奇数块对应的第一电压，以及块选择器可选择的偶数块对应的第二电压；依据译码地址对第一电压以及第二电压进行配置，以将译码地址指示的块对应的电压配置为有效操作电压，另一个块对应的电压配置为无效操作电压；分别导通控制第一电压传输的MOS管、以及控制第二电压传输的MOS管。通过本发明实施例提供的存储类型的闪存中的块操作方案，可缩减一半数量的block selector，相应地将减小NAND FLASH的面积。

主权项

一种存储类型的闪存中的块操作方法，其特征在于，包括：启动与译码地址对应的块选择器，其中，所述块选择器可对一个奇数块和一个偶数块进行选择，且所述奇数块与所述偶数块为相邻的两个块；确定所述块选择器可选择的所述奇数块对应的第一电压，以及所述块选择器可选择的所述偶数块对应的第二电压；依据所述译码地址对所述第一电压以及所述第二电压进行配置，以将所述译码地址指示的块对应的电压配置为有效操作电压，另一个块对应的电压配置为无效操作电压；分别导通控制所述第一电压传输的MOS管、以及控制所述第二电压传输的MOS管。