| 发明名称 | 一种硅通孔的减薄方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅通孔的减薄方法，包含：第1步，将带有钨填充的硅通孔的晶圆正面贴上一层保护膜；第2步，调整减薄机台的精磨轴的磨轮目数；第3步，设定精磨轴的压力阶段，包含如压力稳定阶段、压力收集阶段、压力变化阶段，或者其他的划分方法；第4步，对晶圆进行研磨减薄，并对精磨轴的压力进行实时监控，到达设定压力阶段时停止研磨；第5步，将晶圆正面保护膜去除，硅通孔减薄完成。 | ||
| 申请公布号 | CN105215840A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201510547822.6 | 申请日期 | 2015.08.31 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 郁新举 |
| 分类号 | B24B37/10(2012.01)I;B24B37/04(2012.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/10(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种硅通孔的减薄方法，其特征在于：包含如下的步骤：第1步，将带有钨填充的硅通孔的晶圆正面贴上一层保护膜；第2步，调整减薄机台的精磨轴的磨轮目数；第3步，设定精磨轴的压力阶段；第4步，对晶圆进行研磨减薄，并对精磨轴的压力进行实时监控，到达设定压力阶段时停止研磨；第5步，将晶圆正面保护膜去除，硅通孔减薄完成。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||