| 发明名称 | 刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种刻蚀方法，包括：提供衬底；在衬底上形成刻蚀材料层；在刻蚀材料层上形成硬掩模，硬掩模包括依次形成于刻蚀材料层上的第二硬掩模以及第一硬掩模；图形化第一硬掩模，在第一硬掩模中形成图案，并露出部分第二硬掩模；以第一硬掩模为掩模刻蚀第二硬掩模，将图案转移到第二硬掩模中；以具有图案的第二硬掩模为掩模，刻蚀材料层。本发明的有益效果在于：相对于现有技术完全以第一光刻胶来刻蚀硬掩模的方式，减少第一光刻胶的者减少被刻蚀程度，从而尽量地避免了因第一光刻胶过薄而导致在硬掩模中形成的图案不够精确的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105225942A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201410301926.4 | 申请日期 | 2014.06.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;周俊卿 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成刻蚀材料层；在刻蚀材料层上形成硬掩模，所述硬掩模包括依次形成于所述刻蚀材料层上的第二硬掩模以及第一硬掩模；图形化所述第一硬掩模，在所述第一硬掩模中形成图案，并露出部分所述第二硬掩模；以所述第一硬掩模为掩模刻蚀所述第二硬掩模，将所述图案转移到所述第二硬掩模中；以具有所述图案的第二硬掩模为掩模，刻蚀所述刻蚀材料层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||