一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法

摘要

本发明公开了一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法，包括：对InP基RFIC晶圆进行清洗；在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；对InP基RFIC晶圆进行电极图形光刻；对InP基RFIC晶圆制作金属电极；对InP基RFIC晶圆进行清洗；对InP基RFIC晶圆进行快速合金；在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；对InP基RFIC晶圆进行引线图形光刻；对InP基RFIC晶圆制作引线金属；将InP基RFIC晶圆连入导线；对InP基RFIC晶圆进行电化学抛光；对InP基RFIC晶圆进行剥离，完成减薄抛光。本发明有效的避免了机械减薄造成的损伤，实现了减薄抛光过程中的应力释放，实现了衬底抛光面的镜面效果，为解决InP超薄厚度的减薄抛光工艺难题提供了新的解决手段。

主权项

一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法，其特征在于，包括：步骤1：对InP基RFIC晶圆进行清洗；步骤2：在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；步骤3：对InP基RFIC晶圆进行电极图形光刻；步骤4：对InP基RFIC晶圆制作金属电极；步骤5：对InP基RFIC晶圆进行清洗；步骤6：对InP基RFIC晶圆进行快速合金；步骤7：在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；步骤8：对InP基RFIC晶圆进行引线图形光刻；步骤9：对InP基RFIC晶圆制作引线金属；步骤10：将InP基RFIC晶圆连入导线；步骤11：对InP基RFIC晶圆进行电化学抛光；步骤12：对InP基RFIC晶圆进行剥离，完成减薄抛光；其中，步骤11中所述对InP基RFIC晶圆进行电化学抛光，包括：将InP基RFIC晶圆浸入电化学腐蚀槽内进行电化学抛光，电化学腐蚀液主要成分为mol·L^‑1NaCl水溶液1L，加入200ml聚乙二醇200(PEG200)，HCl 30ml，加入聚酰亚胺颗粒，颗粒直径500nm，电解槽加热温度65～85℃，外加直流电流6V～8V，采用磁搅拌器进行搅拌。