改善低介电常数材质Kink缺陷的方法

摘要

本发明公开的改善低介电常数材质Kink缺陷的方法，通过在金属掩模板一体化刻蚀的结构中，将特定厚度的氧化硅改为一定厚度的SiON，由于SiON的侧面刻蚀速率更接近于低介电常数材质，从而达到保护侧壁，减轻Kink缺陷的目的，进而得到有利于金属阻挡层及Cu后续填充的结构，减少填充和研磨缺陷，提高产品良率，且本发明的改进科学合理，与传统工艺的兼容性较高，实用性强。

主权项

一种改善低介电常数材质Kink缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底的上表面按照从下至上的顺序依次沉积阻挡层、第一介电层、第二介电层、金属掩膜层以及顶部氧化层；依次刻蚀所述顶部氧化层、金属掩膜层至第二介电层的上表面形成凹槽；继续以剩余的顶部氧化层和金属掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二介电层至第一介电层中形成沟槽；其中，第一介电层为低K介质层，第二介电层为抗反射膜。