| 发明名称 | 半导体背面用切割带集成膜及用于生产半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜及用于生产半导体器件的方法。本发明涉及一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包含依次堆叠的基材层、第一压敏粘合剂层和第二压敏粘合剂层的切割带，和堆叠在切割带的第二压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中第一压敏粘合剂层与第二压敏粘合剂层之间的剥离强度Y大于第二压敏粘合剂层与半导体背面用膜间的剥离强度X，和其中剥离强度X为0.01-0.2N/20mm，和剥离强度Y为0.2-10N/20mm。 | ||
| 申请公布号 | CN105219287A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201510586296.4 | 申请日期 | 2011.07.29 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 浅井文辉;志贺豪士;高本尚英 |
| 分类号 | C09J7/02(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | C09J7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包含依次堆叠的基材层、第一压敏粘合剂层和第二压敏粘合剂层的切割带，和堆叠在所述切割带的所述第二压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，所述半导体背面用膜包含着色剂，其中所述第一压敏粘合剂层与所述第二压敏粘合剂层之间的剥离强度Y大于所述第二压敏粘合剂层与所述半导体背面用膜之间的剥离强度X，和其中所述剥离强度X为0.01‑0.2N/20mm，和所述剥离强度Y为0.2‑10N/20mm，并且，其中所述剥离强度Y与所述剥离强度X之比(Y/X)为3‑500。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||