发明名称 应用至背光源的LED发光结构
摘要 本发明涉及一种应用至背光源的LED发光结构,主要是利用可激发出红光的红色荧光粉、可激发出黄光的黄色荧光粉,以及蓝光发光二极管芯片,并将该红色荧光粉和该黄色荧光粉所掺杂的比例范围控制在(2.33~1):1,使原始LED白光落于CIE1931坐标中,ccy1.8*ccx-0.12、ccy1.8*ccx-0.336、ccy0.33及ccy0.15所围成的区域范围内。由于本发明使用的该红色荧光粉特性上完全不会与黄光作吸收转换反应,因此可降低黄色荧光粉激发后的黄光亮度损失,且在该范围内搭配任何彩色滤光片,皆可有效达到较高NTSC效果以及LED发光效率。
申请公布号 CN105226170A 申请公布日期 2016.01.06
申请号 CN201410325205.7 申请日期 2014.07.09
申请人 东贝光电科技股份有限公司 发明人 张智超;葉宏立;庄博翔;林群哲;刘如熹
分类号 H01L33/50(2010.01)I 主分类号 H01L33/50(2010.01)I
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人 孙皓晨
主权项 一种应用至背光源的LED发光结构,其特征在于其包含:基座;蓝光发光二极管芯片,其设于该基座上;红色荧光粉,并借由吸收自该蓝光发光二极管芯片所发射的蓝光而激发出红光;黄色荧光粉,借由吸收自该蓝光发光二极管芯片所发射的蓝光而激发出黄光;及封胶,用以封装该蓝光发光二极管芯片、该红色荧光粉和该黄色荧光粉;其中该红色荧光粉被激发出的光束为波长630nm的红光,且主波长半波宽小于10nm,且该红色荧光粉其化学式是T<sub>2</sub>XF<sub>6</sub>:Mn<sup>4+</sup>,T选自Li、Na,、K、Rb其中之一;而X选自Ge,Si,Sn,Zr,Ti其中之一;该黄色荧光粉被激发出的黄光波长为540nm~550nm,且该黄色荧光粉相对于该红色荧光粉掺杂比例范围控制在(2.33~1):1,使该蓝光发光二极管芯片发出的蓝光、该红色荧光粉所激发出的红光,和该黄色荧光粉所激发出的黄光相互混合形成的白光落于CIE1931色度坐标上ccy1.8*ccx‑0.12、ccy1.8*ccx‑0.336、ccy0.33及ccy0.15所围成的区域范围内,其中ccx代表CIE1931色度坐标X轴;ccy代表CIE1931色度坐标Y轴。
地址 中国台湾新北市