PMOS晶体管的形成方法

摘要

本发明提供一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供形成有栅介质层的衬底；形成覆盖所述栅介质层的功函数金属层，所述功函数金属层的材料为金属氮化物；在所述衬底所在的反应腔内通入NH₃气体，并对所述功函数金属层进行热处理，以增加功函数金属层的含氮量；进行热处理后，在所述功函数金属层上形成栅电极。本发明利用NH₃对所述功函数金属层进行热处理，提高PMOS功函数金属层中金属氮化物的含氮量，导致PMOS晶体管功函数的增加，从而降低PMOS晶体管的阈值电压，改善器件电学性能。

主权项

一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供形成有栅介质层的衬底，所述栅介质层表面形成有刻蚀停止层；形成覆盖所述栅介质层和所述刻蚀停止层的功函数金属层，所述功函数金属层的材料为金属氮化物，所述刻蚀停止层和所述功函数金属层共同起到调节功函数的作用；在所述衬底所在的反应腔内通入NH₃气体，并对所述功函数金属层和所述刻蚀停止层进行热处理，以增加功函数金属层和刻蚀停止层的含氮量，增加功函数；进行热处理后，在所述功函数金属层上形成栅电极。