发明名称 Semiconductor module with ultrasound welded connections
摘要 Ein Halbleitermodul (10) umfasst eine Basisplatte (12), ein Substrat (14) auf der Basisplatte (12), das eine Metallisierung (28) auf wenigstens einer Seite aufweist und das wenigstens einen Halbleiterchip (24) trägt, ein Gehäuse (16), das an der Basisplatte (12) befestigt ist und das Substrat (14) wenigstens teilweise umschließt, und wenigstens einen Anschluss (34), der an einem anderen Ende einen Anschlussfuß (36) aufweist, der mittels Ultraschallschweißen auf einer Anschlussstelle (38) der Metallisierung (28) befestigt ist. Das Gehäuse (16) weist eine Schutzwandung (42) auf, die den Anschluss (34) umgibt und einen Innenraum (22) des Gehäuses (16) in einen ungeschützten Bereich (46) und einen geschützten Bereich (44) unterteilt. Die Schutzwandung (42) ist derart ausgebildet, dass zwischen dem Substrat (14) und der Schutzwandung (42) ein Spalt (48) gebildet ist, der dazu ausgeführt ist, einen Fluidstrom (60) derart zu führen, dass beim Ultraschallschweißen des Anschlussfußes (36) auf die Anschlussstelle (38) entstehende Partikel davon abgehalten werden, von dem ungeschützten Bereich (46) in den geschützten Bereich (44) zu dringen.
申请公布号 EP2962799(A1) 申请公布日期 2016.01.06
申请号 EP20140175716 申请日期 2014.07.04
申请人 ABB TECHNOLOGY AG 发明人 HARTMANN, SAMUEL;GUILLON, DAVID;HAJAS, DAVID;THUT, MARKUS
分类号 B23K20/10;B23K26/12;B23K37/06;H01L21/48;H01L23/00;H01L23/48;H01L23/498;H01R43/02 主分类号 B23K20/10
代理机构 代理人
主权项
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