平坦牺牲层和MEMS微桥结构的制造方法

摘要

本发明提供平坦牺牲层和MEMS微桥结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上设置有介质层，在所述介质层中设置有插塞；沉积过渡层和顶层金属层，以覆盖所述介质层和所述插塞；图案化所述顶层金属层和过渡层形成顶层金属图案和图案化的过渡层；利用沉积法形成牺牲层，所述牺牲层中形成有孔洞。通过调整顶层金属图案的间距，来实现牺牲层的局部平坦化效果，方案简单可行，不需要增加额外的工艺步骤，可大大降低基于微桥结构的MEMS产品成本或形成符合要求牺牲层的成本，有利于提高产品的性能、成品率和可靠性。

主权项

一种MEMS微桥结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，所述衬底上设置有介质层，在所述介质层中设置有插塞；沉积过渡层和顶层金属层，以覆盖所述介质层和所述插塞；图案化所述顶层金属层和过渡层形成顶层金属图案和图案化的过渡层；利用沉积法形成牺牲层，在所述牺牲层中形成有孔洞；图案化所述牺牲层，以形成支撑孔；沉积释放保护层和敏感材料层；图案化所述敏感材料层和所述释放保护层，在所述支撑孔内形成接触孔；沉积金属电极层，并图案化所述金属电极层；沉积另一释放保护层，并图案化所述另一释放保护层，以形成MEMS微桥结构；其中，相邻所述顶层金属图案的间距为0.1微米‑1.5微米，所述顶层金属图案的厚度为4000埃‑1.5微米，所述图案化的过渡层的厚度为100埃‑1000埃。