晶片封装体及其制造方法

摘要

本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，其可在实施封装层的切割制程前，先通过晶片保护层或增设的蚀刻阻挡层覆盖在导电垫上，避免导电垫被切割残余物损害及刮伤。本发明还可选择以晶片保护层、晶片保护层上增设的蚀刻阻挡层或与导电垫同一位阶高度的金属蚀刻阻挡层或其组合，来对结构蚀刻区的层间介电层和硅基板进行蚀刻，以形成开口，便于后续半导体结构的制作，同时提高晶片封装体的良率。

主权项

一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体基板，该半导体基板由一层间介电层所覆盖，该半导体基板包括多个元件区及一结构蚀刻区，任两个相邻的元件区之间包括一周边接垫区，且该周边接垫区包括多个导电垫；提供一晶片保护层，以覆盖该层间介电层及所述导电垫；形成一绝缘蚀刻阻挡层，以覆盖该晶片保护层；以该绝缘蚀刻阻挡层、该晶片保护层及该层间介电层为罩幕，定义该半导体基板以于该结构蚀刻区处形成第一开口；从该半导体基板背面进行蚀刻，使该结构蚀刻区处的第一开口贯穿该半导体基板；形成一封装层，以覆盖该绝缘蚀刻阻挡层；切割该封装层，以暴露出该周边接垫区；及定义该绝缘蚀刻阻挡层和该晶片保护层，以形成第二开口，该第二开口暴露出该周边接垫区上的所述导电垫，其中所述导电垫在切割该封装层之前被该晶片保护层所覆盖，该第一开口和该第二开口具有水平间隔。