深沟渠隔离结构、光伏元件及其制作方法

摘要

露之一些实施例系有关于一种深沟渠隔离(DTI)结构，用以提升光伏元件之效率与性能。此光伏元件包含功能层设于半导体基材之上表面、以及一对像素形成于半导体基材中，此对像素被深沟渠隔离结构所分开。深沟渠隔离结构设置在深沟渠中。在蚀刻深沟渠前，以沿着功能层形成之保护套局部覆盖深沟渠之侧壁。在蚀刻深沟渠时，保护套防止功能层的蚀刻，藉此防止污染物扩散至此对像素中。保护套亦窄化深沟渠隔离结构之宽度，而可增加像素面积，进而可增进光伏元件之效率与性能。

主权项

一种深沟渠隔离结构，包含：一半导体基材，具有一上半导体表面；一功能层，设于该上半导体表面上方；一覆盖层，设于该功能层上方；一深沟渠，具有在该深沟渠之相对之复数个侧壁之间量测之一深沟渠宽度，且穿设于该覆盖层与该功能层中，并延伸至该上半导体表面下一第一深度；一填充材料，位于该深沟渠中；以及一保护套，局部地沿着该深沟渠之该些侧壁而安排在该填充材料与该功能层之间。