半导体磊晶晶圆的制造方法、半导体磊晶晶圆及固体摄影元件的制造方法

摘要

明的目的是提供一种制造具有更高的去疵能力，且磊晶层表面的雾度水准降低的半导体磊晶晶圆的方法。本发明的半导体磊晶晶圆的制造方法的特征在于包括：第1步骤，对半导体晶圆10照射簇离子16，而在半导体晶圆的表面10A形成包含簇离子16的构成元素的改质层18；第2步骤，其在该第1步骤后，对半导体晶圆10进行用以结晶性恢复的热处理，以使半导体晶圆表面10A的雾度水准成为0.20ppm以下；第3步骤，其在该第2步骤后，在半导体晶圆的改质层18上形成磊晶层20。

主权项

一种半导体磊晶晶圆的制造方法，其特征在于包括：第1步骤，其对半导体晶圆照射簇离子，而在上述半导体晶圆的表面形成包含上述簇离子的构成元素的改质层；第2步骤，其在上述第1步骤后，对上述半导体晶圆进行用以结晶性恢复的热处理，以使上述半导体晶圆表面的雾度水准成为0.20ppm以下；以及第3步骤，其在上述第2步骤后，在上述半导体晶圆的改质层上形成磊晶层；在上述第3步骤后，得到上述改质层中的上述构成元素在深度方向的浓度分布的半宽度为100nm以下的半导体磊晶晶圆。