发明名称 用于缓冲材料的金属晶种层转化
摘要 系揭露一种利用转化晶种层作为缓冲材料以形成太阳能电池之方法及其所生产的太阳能电池。在一例子中,制造太阳能电池之方法包含转化设置于太阳能电池之复数个p-n接面上之晶种层之区域,以形成叉指型转化区域之图样。转化区域系配置以用来与晶种层之非转化区域相互电性绝缘,且在制造太阳能电池中提供对于直接朝向晶种层之雷射之阻障,使得阻障实质上避免由雷射所造成之至少复数个p-n接面之劣化。
申请公布号 TW201601331 申请公布日期 2016.01.01
申请号 TW104109933 申请日期 2015.03.27
申请人 太阳电子公司;道达尔行销服务公司 发明人 摩尔斯 马修;帕斯 汤马斯
分类号 H01L31/0224(2006.01);H01L31/04(2014.01);H01L31/18(2006.01) 主分类号 H01L31/0224(2006.01)
代理机构 代理人 杨长峯;李国光;张仲谦
主权项 一种制造太阳能电池之方法,该方法包含: 形成一金属晶种层于包含一p-n接面之一基板之上; 将该p-n接面之上的该金属晶种层之区域转化成金属氧化物;以及 自该金属晶种层之非转化区域形成该太阳能电池之一导电接点。
地址 美国;法国