使用间壁击穿的抗熔丝元件

摘要

了用于有效地实作包括非挥发性和挥发性记忆体之可编程记忆体阵列电路架构的技术和电路。记忆体电路运用一抗熔丝架构，其包括一1T位元胞阵列，其中每个位元胞有效地包含一个闸极或电晶体状装置，其提供用于此位元胞的一抗熔丝元件和一选择器装置两者。尤其是，位元胞装置具有不对称沟槽为基的源极/汲极接点，使得一个接点结合间壁和闸极金属来形成一电容器，且另一接点结合一掺杂扩散区域和闸极金属来形成一二极体。电容器当作位元胞的抗熔丝元件，且能藉由击穿间壁来编程。二极体有效地提供一肖特基接面，其当作一选择器装置，它能对共享相同位元线/字元线之位元胞消除编程及读取的干扰。

主权项

一种记忆体装置位元胞，包含：一半导体基板，具有一表面；一扩散区域，在该半导体基板的该表面上或该半导体基板中；第一和第二垂直介电间壁，该些间壁之至少一者系在该扩散区域上方且与该扩散区域接触；金属，沉积于该第一和该第二垂直介电间壁之间且与该第一和该第二垂直介电间壁接触，该金属也至少部分地与该扩散区域接触；一第一沟槽为基的导电接点，其未与该扩散区域接触，而是结合该第一垂直介电间壁和该金属来形成一抗熔丝元件；及一第二沟槽为基的导电接点，其与该扩散区域接触，且结合该扩散区域和该金属来形成一选择器元件。