以环境氧之局部控制对半导体晶圆进行雷射退火的方法

摘要

明提出一种半导体晶圆的雷射退火，利用混合气体来局部控制环境氧气以降低于雷射退火过程中之氧化量。混合气体包含氢气与内部缓冲气体，例如：氮气。在半导体晶圆之表面之退火位置附近之氧气与混合气体的局部加热创造了氧气与氢气发生燃烧而产生水蒸气的一局部区域。此燃烧反应降低在局部区域内的氧气浓度，因而局部降低环境氧气的含量，并顺带在退火制程中降低半导体晶圆之表面的氧化率。

主权项

一种对具有一表面之一半导体晶圆进行雷射退火的方法，包含： 设置该半导体晶圆于一处理腔之内部； 将该处理腔之内部抽真空，以使该处理腔之内部所包含的一氧气位于一初始氧浓度； 于该处理腔中导入一混合气体，该混合气体包含一氢气与一缓冲气体；及 导引一雷射光束通过该处理腔之内部以入射到该半导体晶圆之该表面上的一退火位置，从而退火该半导体晶圆之该表面并导致位于该退火位置周围之一局部区域内之该氧气与该混合气体中之氢气被局部加热，且该局部区域内之该氧气与该氢气发生燃烧而产生水蒸气，致使该局部区域内的氧气浓度低于该初始氧浓度。