发明名称 成膜装置、成膜方法及记忆媒体
摘要 明之成膜装置具备:设置于真空容器内并包含载置基板的基板载置区域之回转台;朝回转台之基板载置区域侧一面供给第1反应气体之第1反应气体供给机构;远离该第1反应气体供给机构而设置于回转台之圆周方向并朝回转台基板载置区域侧一面供给第2反应气体之第2反应气体供给机构;将供给第1反应气体的第1处理区域与供给第2反应气体的第2处理区域之气氛分离且位于圆周方向上两处理区域间之分离区域;供给扩散至分离区域两侧的分离气体之分离气体供给机构;将供给至分离气体供给机构的分离气体加热之第1加热部;将供给至回转台之第1反应气体、第2反应气体及分离气体排出之排气口;以及为了在基板堆积一薄膜而将第1反应气体、第2反应气体及分离气体供给至回转台时,让回转台自转之驱动部。
申请公布号 TWI515327 申请公布日期 2016.01.01
申请号 TW098128932 申请日期 2009.08.28
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 加藤寿;本间学
分类号 C23C16/54(2006.01);C23C16/455(2006.01) 主分类号 C23C16/54(2006.01)
代理机构 代理人 林秋琴;何爱文
主权项 一种成膜装置,系于真空容器内将会相互反应的至少2种反应气体依序供给至基板之表面并藉由实施如此的供给循环而堆积多数层之反应生成物层来形成一薄膜,并具备有:设置于该真空容器内并包含用以载置一基板的基板载置区域之回转台;朝该回转台之基板载置区域侧之一面供给第1反应气体之第1反应气体供给机构;远离该第1反应气体供给机构而设置在该回转台之圆周方向并朝该回转台之基板载置区域侧之一面供给第2反应气体之第2反应气体供给机构;将供给有第1反应气体的第1处理区域与供给有第2反应气体的第2处理区域之气氛分离而位于该圆周方向之该第1处理区域与该第2处理区域间之分离区域;供给扩散至该分离区域两侧的第1分离气体之分离气体供给机构;将供给至该分离气体供给机构的第1分离气体加热之第1加热部;将供给至该回转台之该第1反应气体、该第2反应气体及该第1分离气体排出的排气口;以及为了在该基板堆积一薄膜而将该第1反应气体、该第2反应气体及该第1分离气体供给至该回转台时,让该回转台相对于该第1处理区域、该第2处理区域及该分离区域沿该圆周方向回转之驱动部。
地址 日本