成膜方法及电浆成膜装置

摘要

明的课题是在于提供一种即使形成于被处理体的表面之凹部的内径或宽度小，照样可使薄膜的成膜时的阶梯覆盖率提升之成膜方法。

主权项

一种成膜方法，系往可真空排气的处理容器内收容一在表面形成有具凹部的绝缘层之被处理体，且朝前述处理容器内供给含钛与氯的原料气体与还原气体，藉由电浆CVD法来使前述气体反应，而对前述被处理体形成由钛膜所构成的薄膜之成膜方法，其特征为：在为了使前述反应能够成为前述原料气体的反应限速的反应状态，而将前述原料气体之流量设成为Xscm并将前述还原气体之流量设成为Yscm的情况下，以满足式“Y≦6.25．X-25”且使前述处理容器内的环境的氯的原子数与氢的原子数的比之Cl/H比能够形成0.5~1.5的范围内之方式设定前述原料气体与前述还原气体的各流量。