| 发明名称 |
半导体装置及其形成方法 |
| 摘要 |
导体装置包含：复数个隔离区域，延伸进入一半导体基板，在这些隔离区域的复数个相对部份之间有一具有一第一宽度的基板条；一源极/汲极区域，具有一重叠基板条的部分，其中源极/汲极区域的一上部具有一大于第一宽度的第二宽度，以及源极/汲极区域的上部具有实质上垂直的复数个侧壁；以及一源极/汲极矽化区域，具有复数个内部侧壁接触源极/汲极区域的这些垂直的侧壁。
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| 申请公布号 |
TW201601311 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
| 申请号 |
TW104118367 |
申请日期 |
2015.06.05 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
江国诚;蔡庆威;刘继文;王志豪;梁英强 |
| 分类号 |
H01L29/772(2006.01);H01L21/335(2006.01);H01L21/762(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/772(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
李世章;秦建谱 |
| 主权项 |
一半导体装置，包含：复数个隔离区域，延伸进入一半导体基板，在该些隔离区域的复数个相对部份之间有一具有一第一宽度的基板条；一源极/汲极区域，具有一重叠该基板条的部分，其中该源极/汲极区域的一上部具有一大于该第一宽度的第二宽度，以及该源极/汲极区域的该上部具有实质上垂直的复数个侧壁；以及一源极/汲极矽化区域，具有复数个内部侧壁接触该源极/汲极区域的该些垂直的侧壁。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
