半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置，其包括：基底，其包括在基底上设置的衬垫和对准特征件；钝化层，其设置在基底和衬垫的周边上；钝化后互联(PPI)，其包括在衬垫上设置的通过部分和容纳导电凸块的延伸部分，以将衬垫与导电凸块电连接；聚合物，其覆盖PPI；以及模制材料，其在聚合物上并围绕导电凸块设置；其中，模制材料包括与对准特征件正交对准并邻近半导体装置边缘的第一部分以及半导体装置边缘远端的第二部分，第一部分的厚度实质上小于第二部分的厚度，从而对准特征件通过模制材料在预定辐射下是可见的。

主权项

一种半导体装置，其包括：基底，其包括在该基底之上设置的衬垫和对准特征件；钝化层，其设置在该基底和该衬垫的周边上；钝化后互联(PPI)，其包括在该衬垫上设置的通过部分和容纳导电凸块的延伸部分，该延伸部分将该衬垫与该导电凸块电连接；聚合物，其覆盖该钝化后互联(PPI)；以及模制材料，其在该聚合物上并围绕该导电凸块设置；其中，模制材料包括与该对准特征件正交对准并邻近该半导体装置之边缘的第一部分以及该半导体装置的该边缘之远端的第二部分，该第一部分的厚度实质上小于该第二部分的厚度，从而该对准特征件通过该模制材料在预定辐射下是可见的。