| 发明名称 |
掺杂Ｃｅ之ＰＺＴ系压电体膜形成用组成物 |
| 摘要 |
杂Ce之PZT系压电体膜形成用组成物具有含有构成复合金属氧化物之各金属原子的PZT系前驱物、二醇及聚乙烯基吡咯烷酮等。组成物中之金属原子比(Pb：Ce：Zr：Ti)满足(1.00~1.28)：(0.005~0.05)：(0.40~0.55)：(0.60~0.45)，且以前述Zr与前述Ti之金属原子比之合计比例成为1的比例，含有PZT系前驱物。组成物100质量%中所占之PZT系前驱物的浓度以氧化物浓度表示为17~35质量%，组成物100质量%中之二醇之比例为16~56质量%，聚乙烯基吡咯烷酮等之比例为相对于PZT系前驱物1莫耳，以单体换算为0.01~0.25莫耳。
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| 申请公布号 |
TW201600465 |
申请公布日期 |
2016.01.01 |
| 申请号 |
TW104109383 |
申请日期 |
2015.03.24 |
| 申请人 |
三菱综合材料股份有限公司 |
发明人 |
土井利浩;桜井英章;曽山信幸 |
| 分类号 |
C01G25/02(2006.01);C01F17/00(2006.01);H01L41/18(2006.01) |
主分类号 |
C01G25/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种掺杂Ce之PZT系压电体膜形成用组成物，其系由掺杂Ce之复合金属氧化物所构成之PZT系压电体膜之形成用的组成物，具有含有构成前述复合金属氧化物之各金属原子的PZT系前驱物、二醇及聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙二醇，前述组成物中之金属原子比(Pb：Ce：Zr：Ti)满足(1.00~1.28)：(0.005~0.05)：(0.40~0.55)：(0.60~0.45)，且以前述Zr与前述Ti之金属原子比之合计比例成为1的比例，含有前述PZT系前驱物，前述组成物100质量%中所占之前述PZT系前驱物的浓度以氧化物浓度表示为17~35质量%，前述组成物100质量%中之前述二醇之比例为16~56质量%，前述聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙二醇之比例为相对于前述PZT系前驱物1莫耳，以单体换算为0.01~0.25莫耳。
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| 地址 |
日本 |
