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Gruppe-III-V-Halbleiterbauteil (202), umfassend: zumindest eine über einem Substrat (204) angeordnete Übergangsschicht (208, 210); eine direkt auf der zumindest einen Übergangsschicht (208, 210) angeordnete erste verspannungsentlastende Zwischenschicht (212) bestehend aus Galliumnitrid und eine direkt auf der ersten verspannungsentlastenden Zwischenschicht (212) angeordnete zweite verspannungsentlastende Zwischenschicht (214) bestehend aus Aluminiumnitrid; einen direkt auf der zweiten verspannungsentlastenden Zwischenschicht (214) angeordneten ersten Gruppe-III-V-Halbleiterkörper (216) bestehend aus Galliumnitrid; wobei die erste und die zweite verspannungsentlastende Zwischenschicht (212, 214) verschiedene Halbleitermaterialien umfassen, um eine Verspannung in dem ersten Gruppe-III-V-Halbleiterkörper (216) zu reduzieren wobei eine Pufferschicht (206) zwischen dem Substrat (204) und der zumindest einen Übergangsschicht (208, 210) angeordnet ist, wobei die zumindest eine Übergangsschicht (208, 210) eine erste Übergangsschicht (208) aus Aluminiumgalliumnitrid und eine zweite Übergangsschicht (210) aus Aluminiumgalliumnitrid umfasst, wobei die zweite Übergangsschicht (210) eine niedrigere Aluminiumzusammensetzung als die erste Übergangsschicht (208) besitzt. |
